無壓燒結碳化硅陶瓷

    無壓燒結碳化硅陶瓷技術參數

    Technical parameters of pressure-free sintered silicon carbide ceramics

    項目
    (item)

    單位
    (unit)

    SSIC

    使用溫度
    （applicationtemperature）

    ℃

    1600

    硬度Hv
    （Hardness Hv1）

    HRA

    ≥92

    抗壓強度
    (compressive strength)

    MPa

    ≥2600

    抗彎強度
    (bending strength)

    MPa

    ≥400

    碳化硅量
    (Sic Content)

    %

    ≥99

    彈性模量
    (modulus of elasticity)

    MPa

    410

    導熱系數
    （Thermal Conductivity）

    W/（M.K）

    100-120

    熱膨脹系數 
    (coefficient ofthermal expansion)

    i/℃

    4.0

    氣孔率
    (open porosity)

    %

    ＜0.1

    泊松比
    (Posisson’s Ration)

     

    0.16


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