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碳化硅陶瓷的制備方法
添加時間:2020-06-06
       針對碳化硅陶瓷的講解,主要包括碳化硅的晶體結構、碳化硅陶瓷的性能和應用、碳化硅陶瓷的制備方法等。
1、碳化硅的晶體結構
      SIC是SI和C兩個鍵組成的共價鍵化合物,具有金剛石結構。

2、碳化硅陶瓷的性能和應用 
      碳化硅具有抗氧化性、硬度高、耐高溫,可以用來制造熱交換器、轉子等。

3、碳化硅陶瓷的制備方法
      由于碳化硅陶瓷的各種優良性能,因此人們非常認可碳化硅陶瓷,所以對碳化硅陶瓷的開發和研制也是非常多的,下面講幾種制備碳化硅陶瓷的方法。

(1)熱壓碳化硅陶瓷  雖然在2000度以上的溫度和350MPa以上的壓力可以使純SIC熱壓致密,但是通常還是采用加入添加劑的方法。熱壓添加劑有兩類:一類與碳化硅中的雜質形成液相,通過液相促進燒結;一類是與SiC形成固溶體降低晶界能促進燒結。

(2)常壓碳化硅陶瓷 常壓燒結碳化硅也命名為無壓燒結碳化硅,在燒結到2100度以上的溫度下,生成高純度、高致密的碳化硅陶瓷。

(3)反應碳化硅陶瓷  反應燒結碳化硅又稱為自結合SIC。將碳化硅粉和石墨粉按一定的比例混合壓成坯體塊,加熱到1650度左右,通過氣相與C反應生成。
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